- 產(chǎn)品型號(hào):VQ1001P-2
- 制 造 商:Vishay(威世半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:原廠封裝
- 功能類別:場(chǎng)效應(yīng)管陣列
- 功能描述:MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):VQ1001P-2
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
系列:-
FET 類型:4 個(gè) N 通道
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):830mA
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):1.75 歐姆 @ 200mA, 5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):-
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):110pF @ 15V
功率 - 最大值:2W
安裝類型:*
封裝/外殼:-
供應(yīng)商器件封裝:*
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