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    VS-GB100LH120N
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    Vishay威世半導體原廠型號:VS-GB100LH120N

    制造商:Vishay Semiconductor Diodes Division

    描述:IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

    系列:-

    IGBT 類型:-

    配置:單一

    電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V

    電流 - 集電極 (Ic)(最大值):200A

    功率 - 最大值:833W

    不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):1.77V @ 15V,100A(標準)

    電流 - 集電極截止(最大值):1mA

    不同 Vce 時的輸入電容 (Cies):8.96nF @ 25V

    輸入:標準

    NTC 熱敏電阻:無

    安裝類型:底座安裝

    封裝/外殼:雙 INT-A-PAK(3 + 4)

    供應商器件封裝:雙 INT-A-PAK


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