VS-GB100TH120N >>> Vishay芯片，深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供Vishay公司VS-GB100TH120N報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載，想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎？那就馬上與我們聯(lián)系吧！

采購(gòu)VS-GB100TH120N？不再猶豫，找我們沒(méi)錯(cuò)！對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商，提供免費(fèi)樣品！從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn)，我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)！

Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào)：VS-GB100TH120N

制造商：Vishay Semiconductor Diodes Division

描述：IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK

系列：-

IGBT 類型：-

配置：半橋

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：200A

功率 - 最大值：833W

不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on)：2.35V @ 15V，100A

電流 - 集電極截止（最大值）：5mA

不同 Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies)：8.58nF @ 25V

輸入：標(biāo)準(zhǔn)

NTC 熱敏電阻：無(wú)

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：雙 INT-A-PAK（3 + 4）

供應(yīng)商器件封裝：雙 INT-A-PAK